达优高科 一、高通的CPU和联发科的CPU哪个好？华为G525用的是哪个？
高通和联发科的市场策略稍有差异, 虽然都想进入对方的领域, 不过还需要2~3年的时间.联发科目前的市场策略是性价比, 高通的是高性能. 用田忌赛马的模式, 高通占不了多大便宜. 当然高端手机平台还是高通的天下. 这个模式在3G时代是不会变的, 但是在4G时代就有点悬了. 3G时代高通即使收专利费都可以赚翻了. 4G时代大家的起点就差不多了.
2.. 联发科不仅是卖芯片, 而且是提供配套的软件服务, 即所谓的turn-key模式. 这一点目前在业内无人能及. 这就是为什么一些水平有限厂商都喜欢采用联发科的手机方案, 因为开发成本低, 量产快. 目前高通也在走这条路, 叫QRD. 内容和Turn-Key模式差不多.
3. 2家手机芯片的定位稍有差异, 虽然一直在互相抢占对方的市场. 高通手机芯片主打高性能, 联发科手机芯片主打低功耗, 所以联发科的手机芯片更省电, 高通高端芯片的功能性能更强大,但是同级产品, 联发科手机芯片产品更胜一筹.目前联发科的手机芯片主要是中高端,今年上市的4核MT6589也是在这个位置, 是用来替代MT6577的产品.但是整个平台的价格可以控制在1500RMB左右, 厂商开发时间只需要2个月即可.
因此高端产品是高通的天下, 被HTC, 三星这种大厂采用到高端平台中. 中低端产品是联发科的地盘, 主要是国内手机客户群, 以及供货给MOTO和SONY, LG这几家国外品牌用来做中端产品.
所以如果你想买性价比的手机, 请选择联发科的平台, 如目前已上市的ZTE MT6589 4核手机价格在1500RMB左右. 如果你想买高端手机, 请买高通平台, 如HTC one系列手机, 价格在4000RMB左右.
华为G525采用的是高通的MSM8225Q的4核手机芯片。这块芯片的性能怎么样，可以查看我其他帖子的回复，这里不在赘述。
二、哪些手机有NFC功能？
有NFC功能的手机：三星手机、荣耀Magic2、荣耀 V20、华为Mate 20 Pro、OPPO等。
1、三星手机
目前中国大陆上市的三星手机支持NFC功能的型号较多，如：S9、S9+、S8、S8+、Note8、S7、S7edge、Note5、S6 Edge+、S6系列、S6 Edge、Note4系列、Note Edge、S5系列、Note3系列等。
2、荣耀Magic2
荣耀Magic 2是华为荣耀旗下的一款全面屏的超级旗舰手机，该机采用了弹升式模块，搭载了前置摄像头。100%全面屏视野的Magic Slide魔法全面屏、麒麟980芯片。荣耀Magic2于10月31日在北京发布。
3、荣耀 V20
荣耀V20是华为公司旗下一款智能手机，搭载麒麟980处理器，使用屏下前摄方案，主打AI摄像，主摄能够达到4800万像素。 2018年12月26日，荣耀V20正式发布。荣耀V20的logo变更，升级后的logo字母全大写，支持NFC功能。
4、华为Mate 20 Pro
华为是全球领先的ICT(信息与通信)基础设施和智能终端提供商,致力于把数字世界带入每个人、每个家庭、每个组织,构建万物互联的智能世界。华为 Mate Xs、华为Mate 20 Pro都支持NFC功能。
5、OPPO
OPPO是更多年轻人选择的拍照手机品牌。国产手机越来越受青睐，在中国，更多年轻人选择OPPO拍照手机。十年来，OPPO一直专注手机拍照的技术创新，开创了“手机自拍美颜”时代OPPO的R17，Pro，Reno等支持NFC功能。
三、华为mate7和魅族mx4哪个质量好
mate7我在用，mx4我朋友在用··
相差一个星期入手，用了一个多月了，他已经后悔了··他还买了2100元·
不过在我看来MX4，也没那么差，普通正常的使用··也还是可以的··
四、DDR硬件设计有哪些需要注意的地方
a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。
有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平面铺到管脚上，是最理想的状态，并且在电源入口加大电容储能，每个管脚上加一个100nF~10nF的小电容滤波。
b参考电源Vref，参考电源Vref要求跟随VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用电源芯片提供，也可以采用电阻分压的方式得到。由于Vref一般电流较小，在几个mA~几十mA的数量级，所以用电阻分压的方式，即节约成本，又能在布局上比较灵活，放置的离Vref管脚比较近，紧密的跟随VDDQ电压，所以使用此种方式。需要注意分压用的电阻在100~10K均可，需要使用1%精度的电阻。 Vref参考电压的每个管脚上需要加10nF的点容滤波，并且每个分压电阻上也并联一个电容较好。
VTT为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2。DDR的设计中，根据拓扑结构的不同，有的设计使用不到VTT，如控制器带的DDR器件比较少的情况下。如果使用VTT，则VTT的电流要求是比较大的，所以需要走线使用铜皮铺过去。并且VTT要求电源即可以吸电流，又可以灌电流才可以。一般情况下可以使用专门为DDR设计的产生VTT的电源芯片来满足要求。
而且，每个拉到VTT的电阻旁一般放一个10Nf~100nF的电容，整个VTT电上需要有uF级大电容进行储能。
在华为的设计中，在使用DDR颗粒的情况下，已经基本全部不使用VTT电源，全部采用电阻上下拉的戴维南匹配，只有在使用内存条的情况下才使用VTT电源。
一般情况下，DDR的数据线都是一驱一的拓扑结构，且DDR2和DDR3内部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到较好的信号质量。DDR2的地址和控制信号线如果是多负载的情况下，会有一驱多，并且内部没有ODT，其拓扑结构为走T型的结构，所以常常需要使用VTT进行信号质量的匹配控制。DDR3可以采用Fly-by方式走线设计案例，来分析对比采用高负载走线和采用主线和负载走线同两种情况的差异。
