hbm和gddr5有什么区别

一、hbm和gddr5有什么区别

hbm显存的频率是500mhz、2倍数率机制、数据频率是1gbps，不过它的i/o带宽极高，弥补了频率不足；目前的hbm显存都是堆栈（stack）设计的，每个堆栈有8个通道，每个通道提供128bit位宽，因此总的i/o位宽是128bit*8=1024bit。这还是单一堆栈的，fury x显卡目前是4个堆栈，所以等效位宽就是四倍的4096bit了，频率较高。

gddr5显存频率已经达到了7gbps甚至8gbps，再往上提升频率会带来很多副作用，所以amd、sk hynix公司不再追求频率转而提高显存内部宽位来提升总带宽。gddr5内部i/o带宽是32bit，目前的nvidia显卡的gddr5显存频率可以达到1750mhz（a卡多在1500mhz内），它是4倍速率机制，数据频率是7gbps，单个芯片的带宽是28gb/s。

二、TNY276PN可以用TNY264PN代换吗？

可以。

TNY276P是一款双列直插8脚（实为7脚）封装。输出电压12V，频率范围为124~140kHz，工作温度-40℃~150℃，集成了一个700V的功率MOSFET、振荡器等。

一般判断三极管的好坏用数字万用表测量时用二极管测量档，测其二极管的结压降即可，如果是硅管正向压降在600mv—700mv之间为正常，反向是超档。如果数字很小十几或几那就已经击穿。

扩展资料：

注意事项：

1、按照现代的制造工艺来说，根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，由此就构成了一个晶体管。

2、由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，会使得三极管的放大作用大打折扣，更糟糕的是还会因此引起额外的相位差。

3、由于Cbe的存在，输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器，也可以看成是一个LPF，当输入信号的频率过高时，三极管基极的电位就会有所下降，此时电压增益就随之减小。

参考资料来源：百度百科-三极管

三、hbm和GDDR5X有什么用？现在显卡带宽遭遇瓶颈了吗？

显存类型不一样而已，就像很早的DDR升级到DDR2这样子的升级。

升级的是显存的制造工艺，频率和带宽速度。

GDDR5X是GDDR5的升级版，位宽更大，数据吞吐量也就更强。相比GDDR5，GDDR5X可以单个颗粒做到1GB的大小，而GDDR5大部分只能512MB一颗颗粒。

HBM是当今速度，带宽和体积最最小的显存了，位宽大小无人能及，单个颗粒就能达到1024bit的数据位宽，要知道如果把GDDR5也做成1024bit位宽的话，至少需要32颗GDDR5颗粒（不是正反堆）。

现在的显卡带宽制约因素只要是显存，显存速度跟不上，那么带宽也就上不去。

现在HBM一代早已发布，未来还会有HBM2和新一代显存，那就可能不叫HBM了。